продукты

Дом > продукты > Микросхема памяти > МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ412 МТ412 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ4

Категории

Интегральные микросхемы

(51409)

Микросхема памяти

(1100)

Управление ICs силы

(1129)

ИС драйвера

(2100)

Цифровые микросхемы

(2100)

Аналоговые интегральные узлы

(1480)

Смешанные сигнальные ИС

(100)

Радиочастотная интегральная схема

(100)

Специфические для применения интегральные схемы ASIC

(100)

Мобильные микросхемы

(119)

Интерфейсные интерфейсы

(100)

Датчик ICs

(100)

Пассивные компоненты

(194)

Собственный запас

(12767)

HOLT

(235)

Контакты

Контакты: Ms. Yili

Телефон: 86--18906811134

Факс: 86--18906811134

Контакт теперь

Перешлите нас

МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ412 МТ412 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ4

Детали продукта

Условия оплаты & доставки

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Получите самую лучшую цену

Детали продукта

Характер продукции

Выделить:

Технология::	SDRAM-DDR	Категория продуктов::	Мемориальные микросхемы
Тип памяти::	Летучие	Factory Stock ::	0
Напишите время цикла - слово, страница::	15ns	Пакет изделий поставщика::	60-FBGA (10x12,5)
Время доступа::	700ps	Формат памяти::	DRAM
Статус части::	Старый	Размер памяти::	512Mb (64M x 8)
Упаковка::	& ленты; Вьюрок (TR)	@ qty ::	0
Рабочая температура::	0°C ~ 70°C (TA)	Минимальное количество::	1000
Интерфейс памяти::	Параллельно	Пакет / чемодан::	60-TFBGA
Тип установки::	Поверхностный монтаж	Частота часов::	167MHz
Напряжение - питание::	2,3 V \| 2,7 V	Серия::	-
Производитель::	Технология микронов

Технология::	SDRAM-DDR
Категория продуктов::	Мемориальные микросхемы
Тип памяти::	Летучие
Factory Stock ::	0
Напишите время цикла - слово, страница::	15ns
Пакет изделий поставщика::	60-FBGA (10x12,5)
Время доступа::	700ps
Формат памяти::	DRAM
Статус части::	Старый
Размер памяти::	512Mb (64M x 8)
Упаковка::	& ленты; Вьюрок (TR)
@ qty ::	0
Рабочая температура::	0°C ~ 70°C (TA)
Минимальное количество::	1000
Интерфейс памяти::	Параллельно
Пакет / чемодан::	60-TFBGA
Тип установки::	Поверхностный монтаж
Частота часов::	167MHz
Напряжение - питание::	2,3 V \| 2,7 V
Серия::	-
Производитель::	Технология микронов

МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ412 МТ412 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ4

MT46V64M8BN-6:F TR,от Micron Technology,это память ICs.что мы предлагаем имеют конкурентоспособную цену на мировом рынке,которые находятся в оригинальных и новых деталей.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!

Tags:

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Управление ICs силы

ИС драйвера

Цифровые микросхемы

Аналоговые интегральные узлы

Смешанные сигнальные ИС

Радиочастотная интегральная схема

Специфические для применения интегральные схемы ASIC

Мобильные микросхемы

Интерфейсные интерфейсы

Датчик ICs

Пассивные компоненты

Собственный запас

HOLT

PC28F128J3F75F Флеш-память I,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Чип памяти IC,

Чип памяти IC 64-FBGA

MTFC8GACAENS-K1 AIT Nor Flash Ic 64Gb MMC Микроновая технология

MT45W4MW16BFB-856 WT Память IC Чип 54-VFBGA поверхностная установка

RC28F256P30T85A Ics Память 256Mb 16M x 16 FLASH - NOR поверхностная установка

MT28F800B3SG-9 B Memory IC Chip 90ns Параллельный интерфейс памяти

M58LT256JSB8ZA6E IC Memory Chip 85ns 256Mb Поверхностная установка

M29W640GH70NA6E Чип памяти IC 64Mb 2.7 V ~ 3.6 V 64Mb

JS28F160C3TD70A Флэш-память IC Chip Micron Technology 70ns

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1 Память IC Чип 128Gb 16G x 8 Память

JS48F4400P0TB00A Память Ics 85ns Время доступа 512Mb Размер памяти

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Память IC Чип 200 МГц Частота часов

IC памяти AT45DB321D-MU-SL954 Flash Ic Eeprom 32Mb 8-VDFN

Интегральные микросхемы

Микросхема памяти

Управление ICs силы

ИС драйвера

Цифровые микросхемы

Аналоговые интегральные узлы

Смешанные сигнальные ИС